2SJ668(TE16L1,NQ)

制造商编号:
2SJ668(TE16L1,NQ)
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
规格说明书:
2SJ668(TE16L1,NQ)说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSIII
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 20W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PW-MOLD
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

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2SJ668(TE16L1,NQ)

型号:2SJ668(TE16L1,NQ)

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

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