QS6M3TR

制造商编号:
QS6M3TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
规格说明书:
QS6M3TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.346435 5.35
10 4.611611 46.12
100 3.441239 344.12

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: TSMT6(SC-95)
标准包装: 3,000

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QS6M3TR

型号:QS6M3TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

库存:0

单价:

1+: ¥5.346435
10+: ¥4.611611
100+: ¥3.441239
500+: ¥2.703555
3000+: ¥1.904798
6000+: ¥1.781892

货期:1-2天

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