NTMFD5C650NLT1G

制造商编号:
NTMFD5C650NLT1G
制造商:
ON安森美
描述:
T6 60V LL S08FL DS
规格说明书:
NTMFD5C650NLT1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1500 25.435702 38153.55

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta),111A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 37nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2546pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.5W(Ta),125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
标准包装: 1,500

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NTMFD5C650NLT1G

型号:NTMFD5C650NLT1G

品牌:ON安森美

描述:T6 60V LL S08FL DS

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