货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 26A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 @ 8.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 13nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 480pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 23W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 双 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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HS8K11TB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
SI7228DN-T1-GE3
型号:SI7228DN-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00