库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.967621 | ￥7.97 |
| 10 | ￥7.099048 | ￥70.99 |
| 100 | ￥5.536756 | ￥553.68 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8mOhm @ 10A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2165 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 860mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-PQFN（2x2） |
| 封装/外壳: | 6-PowerWDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
NTLJS3D0N02P8ZTAG
型号：NTLJS3D0N02P8ZTAG
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.967621 |
| 10+： | ￥7.099048 |
| 100+： | ￥5.536756 |
| 500+： | ￥4.573825 |
| 1000+： | ￥3.829759 |
| 3000+： | ￥3.829759 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.97