DMS3015SSS-13

制造商编号:
DMS3015SSS-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
规格说明书:
DMS3015SSS-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.206083 4.21
10 3.606517 36.07
100 2.690868 269.09

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.9 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1276 pF @ 15 V
FET 功能: 肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值): 1.55W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO4468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.38000 类似
RSH090N03TB1 Rohm Semiconductor ¥7.91000 类似

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DMS3015SSS-13

型号:DMS3015SSS-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥4.206083
10+: ¥3.606517
100+: ¥2.690868
500+: ¥2.11419
1000+: ¥1.633704
2500+: ¥1.489535
5000+: ¥1.393422

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