SI8402DB-T1-E1

制造商编号:
SI8402DB-T1-E1
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
规格说明书:
SI8402DB-T1-E1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 37 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC @ 4.5 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-XFBGA,CSPBGA
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix ¥4.68000 类似

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SI8402DB-T1-E1

型号:SI8402DB-T1-E1

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

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