HP8MA2TB1

制造商编号:
HP8MA2TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
规格说明书:
HP8MA2TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.138774 16.14
10 14.475162 144.75
100 11.633967 1163.40

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),15A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.6mOhm @ 18A,10V,17.9mOhm @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC @ 10V,25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100pF @ 15V,1250pF @ 15V
功率 - 最大值: 3W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
标准包装: 2,500

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HP8MA2TB1

型号:HP8MA2TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND

库存:0

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1+: ¥16.138774
10+: ¥14.475162
100+: ¥11.633967
500+: ¥9.558108
1000+: ¥7.919562
2500+: ¥7.44787

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥16.14