APTM60H23FT1G

制造商编号:
APTM60H23FT1G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
规格说明书:
APTM60H23FT1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
15 650.409161 9756.14

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 276 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 165nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5316pF @ 25V
功率 - 最大值: 208W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商器件封装: SP1
标准包装: 1

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APTM60H23FT1G

型号:APTM60H23FT1G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

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