库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.060463 | ￥5.06 |
| 10 | ￥4.115512 | ￥41.16 |
| 100 | ￥2.799791 | ￥279.98 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen III |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17.8 毫欧 @ 8.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 57 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1975 pF @ 6 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.6W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-TSOP |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装: | 3,000 |
SI3473DDV-T1-GE3
型号：SI3473DDV-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.060463 |
| 10+： | ￥4.115512 |
| 100+： | ￥2.799791 |
| 500+： | ￥2.100005 |
| 1000+： | ￥1.574911 |
| 3000+： | ￥1.443699 |
| 6000+： | ￥1.356204 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.06