STGD3NB60SD-1

制造商编号:
STGD3NB60SD-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 6A 48W DPAK
规格说明书:
STGD3NB60SD-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 25 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.5V @ 15V,3A
功率 - 最大值: 48 W
开关能量: 1.1mJ(开),1.15mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 18 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 125µs/3.4µs
测试条件: 480V,3A,1 千欧,15V
反向恢复时间 (trr): 1.7 µs
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
标准包装: 75

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型号 品牌 参考价格 说明
IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies ¥8.29000 类似

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品牌:ST意法半导体

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