R6004JNJGTL

制造商编号:
R6004JNJGTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
规格说明书:
R6004JNJGTL说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.770417 17.77
10 15.975138 159.75
100 12.839041 1283.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.43 欧姆 @ 2A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 7V @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.5 nC @ 15 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LPTS
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

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R6004JNJGTL

型号:R6004JNJGTL

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

库存:0

单价:

1+: ¥17.770417
10+: ¥15.975138
100+: ¥12.839041
500+: ¥10.548584
1000+: ¥4.520867
2000+: ¥4.219477

货期:1-2天

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