货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥2.101273 | ¥2.10 |
10 | ¥1.928447 | ¥19.28 |
100 | ¥1.049393 | ¥104.94 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 270mA(Ta),330mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.8 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 23.6 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 310mW(Ta),1.67W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-236AB |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
2N7002NXBKR
型号:2N7002NXBKR
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
库存:0
单价:
1+: | ¥2.101273 |
10+: | ¥1.928447 |
100+: | ¥1.049393 |
500+: | ¥0.645675 |
1000+: | ¥0.440285 |
3000+: | ¥0.374238 |
6000+: | ¥0.337559 |
15000+: | ¥0.293519 |
30000+: | ¥0.264176 |
75000+: | ¥0.23482 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.10