库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.691065 | ￥8.69 |
| 10 | ￥7.743627 | ￥77.44 |
| 100 | ￥6.039731 | ￥603.97 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | EPC |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 80 毫欧 @ 1A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.83 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | +5.75V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 88 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 标准包装: | 2,500 |
EPC2203
型号：EPC2203
品牌：EPC
描述：GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.691065 |
| 10+： | ￥7.743627 |
| 100+： | ￥6.039731 |
| 500+： | ￥4.989318 |
| 1000+： | ￥3.93893 |
| 2500+： | ￥3.676333 |
| 5000+： | ￥3.580843 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.69