库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.137604 | ￥6412.81 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 14.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4310 pF @ 15 V |
| FET 功能: | 肖特基二极管（体） |
| 功率耗散（最大值）: | 890mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
| AON6414A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.76000 | 类似 |
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | ¥7.68000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥8.29000 | 类似 |
DMG7702SFG-13
型号：DMG7702SFG-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥2.137604 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00