库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.447708 | ￥7.45 |
| 10 | ￥6.559952 | ￥65.60 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Panasonic(松下电器) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 毫欧 @ 70A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 1.01mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1092 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta），19W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | HSSO8-F1-B |
| 封装/外壳: | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥8.29000 | 类似 |
SK8403190L
型号：SK8403190L
品牌：Panasonic松下电器
描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.447708 |
| 10+： | ￥6.559952 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.45