NSB8GTHE3/81

制造商编号:
NSB8GTHE3/81
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
规格说明书:
NSB8GTHE3/81说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 55pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: TO-263AB(D²PAK)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 800

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NSB8GTHE3/81

型号:NSB8GTHE3/81

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

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