DMNH6008SCTQ

制造商编号:
DMNH6008SCTQ
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
规格说明书:
DMNH6008SCTQ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.861606 17.86
10 16.072026 160.72
100 12.921339 1292.13

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值): 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2596 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 210W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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DMNH6008SCTQ

型号:DMNH6008SCTQ

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥17.861606
10+: ¥16.072026
100+: ¥12.921339
500+: ¥10.616177
1000+: ¥8.796186
2000+: ¥8.272272

货期:1-2天

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