SI5915DC-T1-E3

制造商编号:
SI5915DC-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
规格说明书:
SI5915DC-T1-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 1206-8 ChipFET™
标准包装: 3,000

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SI5915DC-T1-E3

型号:SI5915DC-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

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