BYD17J,115

制造商编号:
BYD17J,115
制造商:
NXP恩智浦
描述:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A MELF
规格说明书:
BYD17J,115说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.05 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 21pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-87
供应商器件封装: MELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 2,000

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BYD17J,115

型号:BYD17J,115

品牌:NXP恩智浦

描述:DIODE AVALANCHE 600V 1.5A MELF

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