货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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10000 | ¥1.479607 | ¥14796.07 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 24 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7.1nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 647pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | TSOT-23-6 |
标准包装: | 10,000 |
DMN2024UVT-13
型号:DMN2024UVT-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
库存:0
单价:
10000+: | ¥1.479607 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00