货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.449439 | ¥9.45 |
10 | ¥8.438384 | ¥84.38 |
100 | ¥6.57779 | ¥657.78 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18.5A(Ta),30A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.75 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20.3nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 940pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 3.7W(Ta),16.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-Power33(3x3) |
标准包装: | 3,000 |
SIZ350DT-T1-GE3
型号:SIZ350DT-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
库存:0
单价:
1+: | ¥9.449439 |
10+: | ¥8.438384 |
100+: | ¥6.57779 |
500+: | ¥5.433827 |
1000+: | ¥4.289932 |
6000+: | ¥4.718929 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.45