库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10 | ￥3.160613 | ￥31.61 |
| 100 | ￥2.151381 | ￥215.14 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVI |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 560 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装: | 4,000 |
SSM6J214FE(TE85L,F
型号：SSM6J214FE(TE85L,F
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.916575 |
| 10+： | ￥3.160613 |
| 100+： | ￥2.151381 |
| 500+： | ￥1.61338 |
| 1000+： | ￥1.210035 |
| 2000+： | ￥1.109211 |
| 4000+： | ￥1.109199 |
| 8000+： | ￥1.041983 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.92