IRF7456TRPBF

制造商编号:
IRF7456TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
规格说明书:
IRF7456TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.238242 16.24
10 14.532357 145.32
100 11.329345 1132.93

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 4,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO4402 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥9.06000 类似
SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix ¥13.67000 类似

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IRF7456TRPBF

型号:IRF7456TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥16.238242
10+: ¥14.532357
100+: ¥11.329345
500+: ¥9.359295
1000+: ¥8.209837
4000+: ¥8.209849

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥16.24