SIHG15N60E-GE3

制造商编号:
SIHG15N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
规格说明书:
SIHG15N60E-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 33.234933 33.23
10 29.821918 298.22
100 24.435695 2443.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: E
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 280 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 180W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
APT34F60B Microchip Technology ¥96.77000 类似
IXTH30N60L2 IXYS ¥151.83000 类似

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SIHG15N60E-GE3

型号:SIHG15N60E-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

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1+: ¥33.234933
10+: ¥29.821918
100+: ¥24.435695
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1000+: ¥18.796586

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