IPB085N06L G

制造商编号:
IPB085N06L G
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
规格说明书:
IPB085N06L G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 125µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 104 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3500 pF @ 30 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

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IPB085N06L G

型号:IPB085N06L G

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

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