- 制造商编号：
- IPC302N20NFDX1SA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
- 规格说明书：
- IPC302N20NFDX1SA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 270µA |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 带箔切割晶片 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 标准包装: | 1 |
IPC302N20NFDX1SA1
型号：IPC302N20NFDX1SA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
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货期：1-2天
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