IPC302N20NFDX1SA1

制造商编号:
IPC302N20NFDX1SA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
规格说明书:
IPC302N20NFDX1SA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 散装
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 270µA
Vgs(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 带箔切割晶片
封装/外壳: 模具
标准包装: 1

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IPC302N20NFDX1SA1

型号:IPC302N20NFDX1SA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

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