库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥11.186122 | ￥27965.30 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.5 毫欧 @ 17A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 600mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
SI4866DY-T1-GE3
型号：SI4866DY-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥11.186122 |
货期：1-2天
+ -
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