FDD10AN06A0

制造商编号:
FDD10AN06A0
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
规格说明书:
FDD10AN06A0说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 20.142383 20.14
10 18.123172 181.23
100 14.564435 1456.44

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 37 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1840 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 135W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

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FDD10AN06A0

型号:FDD10AN06A0

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

库存:0

单价:

1+: ¥20.142383
10+: ¥18.123172
100+: ¥14.564435
500+: ¥11.966043
1000+: ¥10.87818
2500+: ¥10.878168

货期:1-2天

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