STB75NH02LT4

制造商编号:
STB75NH02LT4
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
规格说明书:
STB75NH02LT4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.327082 18.33
10 16.442153 164.42

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™ III
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2050 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 80W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

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STB75NH02LT4

型号:STB75NH02LT4

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

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10+: ¥16.442153

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