IGC50T120T8RQX1SA1

制造商编号:
IGC50T120T8RQX1SA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT 1200V 50A DIE
规格说明书:
IGC50T120T8RQX1SA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.42V @ 15V,50A
开关能量: -
输入类型: 标准
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
标准包装: 1

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IGC50T120T8RQX1SA1

型号:IGC50T120T8RQX1SA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT 1200V 50A DIE

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