NVD5862NT4G

制造商编号:
NVD5862NT4G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
规格说明书:
NVD5862NT4G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.707009 5.71

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.7 毫欧 @ 48A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 82 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 4.1W(Ta),115W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

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NVD5862NT4G

型号:NVD5862NT4G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK

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