IRL640STRLPBF

制造商编号:
IRL640STRLPBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
规格说明书:
IRL640STRLPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 23.014538 23.01
10 20.634753 206.35
100 16.582652 1658.27

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 10A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 66 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies ¥14.52000 类似

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IRL640STRLPBF

型号:IRL640STRLPBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

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1+: ¥23.014538
10+: ¥20.634753
100+: ¥16.582652
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