货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 59A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 18 毫欧 @ 35A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 120 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2900 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 160W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB144N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.97000 | 类似 |
IRF3710ZSPBF
型号:IRF3710ZSPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00