SMUN5113DW1T1G

制造商编号:
SMUN5113DW1T1G
制造商:
ON安森美
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
规格说明书:
SMUN5113DW1T1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.916575 3.92
10 3.199158 31.99
100 2.179978 218.00

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 187mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.76000 类似
DDA144EU-7-F Diodes Incorporated ¥3.30000 类似

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SMUN5113DW1T1G

型号:SMUN5113DW1T1G

品牌:ON安森美

描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

库存:0

单价:

1+: ¥3.916575
10+: ¥3.199158
100+: ¥2.179978
500+: ¥1.63489
1000+: ¥1.226124
3000+: ¥1.124567

货期:1-2天

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