货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.431665 | ¥3.43 |
10 | ¥2.846044 | ¥28.46 |
100 | ¥1.508689 | ¥150.87 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 530mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.68 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 360mW(Ta),2.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DFN1006B-3 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
标准包装: | 10,000 |
NX3008NBKMB,315
型号:NX3008NBKMB,315
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
库存:0
单价:
1+: | ¥3.431665 |
10+: | ¥2.846044 |
100+: | ¥1.508689 |
500+: | ¥0.992671 |
1000+: | ¥0.674981 |
2000+: | ¥0.608772 |
5000+: | ¥0.529372 |
10000+: | ¥0.449971 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.43