货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥20.627293 | ¥20.63 |
10 | ¥18.494935 | ¥184.95 |
100 | ¥14.869058 | ¥1486.91 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | PowerMESH™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | - |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 25 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 50 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.5V @ 15V,7A |
功率 - 最大值: | 80 W |
开关能量: | 82µJ(开),155µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 34.4 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 22.5ns/116ns |
测试条件: | 390V,7A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 37 ns |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | D2PAK |
标准包装: | 1,000 |
STGB14NC60KDT4
型号:STGB14NC60KDT4
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥20.627293 |
10+: | ¥18.494935 |
100+: | ¥14.869058 |
500+: | ¥12.216405 |
1000+: | ¥11.524912 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.63