货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥7.733681 | ¥7.73 |
10 | ¥6.827273 | ¥68.27 |
100 | ¥5.232544 | ¥523.25 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A,6.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 11.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1495pF @ 6V |
功率 - 最大值: | 2.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | PowerDI5060-8 |
标准包装: | 2,500 |
DMC1015UPD-13
型号:DMC1015UPD-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
库存:0
单价:
1+: | ¥7.733681 |
10+: | ¥6.827273 |
100+: | ¥5.232544 |
500+: | ¥4.136251 |
1000+: | ¥3.308958 |
2500+: | ¥2.998753 |
5000+: | ¥2.820145 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.73