- 制造商编号：
- BSS806NEH6327XTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
- 规格说明书：
- BSS806NEH6327XTSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.960994 | ￥4.96 |
| 10 | ￥3.723854 | ￥37.24 |
| 100 | ￥2.320353 | ￥232.04 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 0.75V @ 11µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 529 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT23 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PMV28UNEAR | Nexperia USA Inc. | ¥3.99000 | 类似 |
BSS806NEH6327XTSA1
型号：BSS806NEH6327XTSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.960994 |
| 10+： | ￥3.723854 |
| 100+： | ￥2.320353 |
| 500+： | ￥1.587991 |
| 1000+： | ￥1.221499 |
| 3000+： | ￥1.099339 |
| 6000+： | ￥1.038278 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.96