- 制造商编号：
- R6030JNZ4C13
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
- 规格说明书：
- R6030JNZ4C13说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥87.450059 | ￥87.45 |
| 10 | ￥78.958102 | ￥789.58 |
| 100 | ￥65.371085 | ￥6537.11 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 143 毫欧 @ 15A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 7V @ 5.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 74 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2500 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 370W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247G |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 600 |
R6030JNZ4C13
型号：R6030JNZ4C13
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
库存：0
单价：
| 1+： | ￥87.450059 |
| 10+： | ￥78.958102 |
| 100+： | ￥65.371085 |
| 500+： | ￥56.924426 |
| 1000+： | ￥50.080068 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥87.45