货期: 8周-10周
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
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12 | ¥872.783199 | ¥10473.40 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | POWER MOS 8™ |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 4 个 N 通道(H 桥) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 1000V(1kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 552 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 260nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6800pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 357W |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | SP3 |
供应商器件封装: | SP3 |
标准包装: | 1 |
APTM100H46FT3G
型号:APTM100H46FT3G
品牌:Microchip微芯
描述:MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
库存:0
单价:
12+: | ¥872.783199 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00