库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 12 | ￥952.030162 | ￥11424.36 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 8™ |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 4 个 N 通道（H 桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000V（1kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 552 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 260nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 357W |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SP3 |
| 供应商器件封装: | SP3 |
| 标准包装: | 1 |
APTM100H46FT3G
型号：APTM100H46FT3G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
库存：0
单价：
| 12+： | ￥952.030162 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00