PSMN3R9-60PSQ

制造商编号:
PSMN3R9-60PSQ
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
规格说明书:
PSMN3R9-60PSQ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.076806 30.08
10 26.984577 269.85
100 22.105893 2210.59

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 263W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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PSMN3R9-60PSQ

型号:PSMN3R9-60PSQ

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥30.076806
10+: ¥26.984577
100+: ¥22.105893
500+: ¥18.818283
1000+: ¥17.004436

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥30.08