SI4946BEY-T1-E3

制造商编号:
SI4946BEY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
规格说明书:
SI4946BEY-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.795948 14.80
10 13.234292 132.34
100 10.318122 1031.81

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 41 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 840pF @ 30V
功率 - 最大值: 3.7W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

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SI4946BEY-T1-E3

型号:SI4946BEY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥14.795948
10+: ¥13.234292
100+: ¥10.318122
500+: ¥8.523411
1000+: ¥6.729048
2500+: ¥6.729011

货期:1-2天

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