1N914B,113

制造商编号:
1N914B,113
制造商:
NXP恩智浦
描述:
DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
规格说明书:
1N914B,113说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: ALF2
工作温度 - 结: 175°C(最大)
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N914ATR onsemi ¥1.84000 类似
1N4148TR onsemi ¥0.77000 类似
1N4148-T50R onsemi ¥0.77000 类似
1N4148TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥0.77000 类似
1N4149TR onsemi ¥1.00000 类似

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1N914B,113

型号:1N914B,113

品牌:NXP恩智浦

描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

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