US1M-E3/61T

制造商编号:
US1M-E3/61T
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
规格说明书:
US1M-E3/61T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.817106 3.82
10 3.113366 31.13
100 2.120794 212.08

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,800

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US1M-E3/61T

型号:US1M-E3/61T

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

库存:0

单价:

1+: ¥3.817106
10+: ¥3.113366
100+: ¥2.120794
500+: ¥1.590602
1800+: ¥1.192989
3600+: ¥1.09357
5400+: ¥1.027286
12600+: ¥0.994151

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥3.82