STD13NM60N

制造商编号:
STD13NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
规格说明书:
STD13NM60N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 26.931113 26.93
10 24.187024 241.87
100 19.441752 1944.18

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 360 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 790 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 90W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥53.60000 类似
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies ¥10.37000 类似
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ¥12.59000 类似

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STD13NM60N

型号:STD13NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

库存:0

单价:

1+: ¥26.931113
10+: ¥24.187024
100+: ¥19.441752
500+: ¥15.97301
1000+: ¥14.520955
2500+: ¥14.520967

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥26.93