MCCD2005-TP

制造商编号:
MCCD2005-TP
制造商:
MCC美微科
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 8A
规格说明书:
MCCD2005-TP说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.468251 4.47
10 3.623615 36.24
100 2.465061 246.51

规格参数

属性 参数值
制造商: MCC(美微科)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1800pF @ 10V
功率 - 最大值: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: DFN2030-6
标准包装: 3,000

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MCCD2005-TP

型号:MCCD2005-TP

品牌:MCC美微科

描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A

库存:0

单价:

1+: ¥4.468251
10+: ¥3.623615
100+: ¥2.465061
500+: ¥1.848785
1000+: ¥1.386594
3000+: ¥1.271046
6000+: ¥1.194015

货期:1-2天

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