ESH1JM RSG

制造商编号:
ESH1JM RSG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
规格说明书:
ESH1JM RSG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.774491 4.77
10 4.125459 41.25
100 3.079547 307.95

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 最后售卖
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 微型 SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

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ESH1JM RSG

型号:ESH1JM RSG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

库存:0

单价:

1+: ¥4.774491
10+: ¥4.125459
100+: ¥3.079547
500+: ¥2.419498
1000+: ¥1.869586
3000+: ¥1.704605
6000+: ¥1.594643

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