IRFB4137PBF

制造商编号:
IRFB4137PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
规格说明书:
IRFB4137PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 55.192617 55.19
10 49.54902 495.49
100 40.600082 4060.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 69 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 125 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5168 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 341W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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IRFB4137PBF

型号:IRFB4137PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 300V 38A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥55.192617
10+: ¥49.54902
100+: ¥40.600082
500+: ¥34.700801

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