IPI80N04S3H4AKSA1

制造商编号:
IPI80N04S3H4AKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
规格说明书:
IPI80N04S3H4AKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.8 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 65µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 115W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 500

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型号 品牌 参考价格 说明
IPI80N04S404AKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥7.79700 类似

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型号:IPI80N04S3H4AKSA1

品牌:Infineon英飞凌

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